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采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压(英文)

制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOInMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOInMOSFETs来说,在提高击......

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背沟击穿电压 SOI nMOSFETs 部分耗尽SOI 半背沟道翘曲击穿特性击穿翘曲效应阈值电压

基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法

自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导......

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寿命预测方法自热 SOI NMOSFETs 载流子注入热载流子正常工作电压电流比热修工作寿命线性关系

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